振鑫焱回收公司(图)-回收---工厂抛光片-忻州抛光片

工艺实现

为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。v 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。

在本文中用 100双面抛光硅片来叙述，图 2 中 v 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面 111与地面 100夹角 54.736°。当腐蚀的时候，从 100硅片上沿着 110方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的 111面，双面进行就会形成 v 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向---，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。因此，回收拆卸抛光片，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 v 型槽。将硅单晶体按 100方向切成所需大小的硅片。厂家常年收购电池片，采购硅片，光伏组件，太阳能电池板，多晶硅，单晶硅，硅料硅棒硅锭回收太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式(以下表示为a-)两大类，而前者又分为单结晶形和多结晶形。

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